Система расчёта критических размеров
CDForm
Назначение ПО
Программа предназначена для автоматизированного расчёта и анализа геометрических параметров наноструктур по данным электронной микроскопии.
Область применения
Область применения — метрология сверхмалых размеров, инженерные, технологические и расчётно-аналитические задачи, связанные с контролем и анализом размеров наноструктур в области сканирующей электронной микроскопии (СЭМ).
Основные функциональные возможности
- ввод исходных данных: растровые изображения сканирующей электронной микроскопии (форматы PNG, PGM, TIFF, BMP) и файл конфигурации СЭМ*
- выделение краёв на изображении несколькими независимыми методами;
- предварительную фильтрацию шума;
- субпиксельное уточнение положения краёв с использованием физической модели сигнала;
- построение профиля сигнала и определение ширины линии (CD);
- определение расстояния между одинаковыми краями периодических структур (pitch);
- расчёт шероховатости края линии (LER), в том числе ее спектральный анализ;
- расчёт шероховатости ширины линии (LWR) и равномерности CD;
- анализ формы контуров: разбиение на прямолинейные участки, аппроксимация отрезками, восстановление угловых точек;
- формирование результатов в виде полигонов (вершины контуров в нанометрах) и таблиц статистик, рассчитанных несколькими способами, включая физическую модель сигнала;
- экспорт результатов: полигоны и статистики в JSON, таблицы в CSV, изображения в PNG;
- Математическое моделирование и расчёт СЭМ-изображений по заданному файлу СЭМ-конфигурации* для проверки и калибровки измерительных процедур.
*)Файл конфигурации СЭМ: файл с параметрами сканирующего электронного микроскопа (СЭМ), содержащий описание исследуемого образца, геометрии наноструктуры, параметров электронного пучка, условий облучения и иных параметров, необходимых для выполнения расчётных процедур.
Описание режима работы/интерфейса
ПО состоит из внутренней вычислительной библиотеки (не зависящей от графического интерфейса) и приложений, описанных ниже:
- графические приложения анализа и моделирования (cdform_analysis и cdform_ui), а также
- утилит командной строки (cdform_analyze и cdform_sem_render).
Графические приложения
Приложение анализа СЭМ-изображений (cdform_analysis):
— загрузка готового СЭМ-изображения, выбор метода выделения краёв, фильтрации и субпиксельного уточнения, запуск анализа, просмотр результатов с наложением найденных контуров, сегментов, углов и полигонов, таблица статистик по линиям, экспорт результатов.
Приложение моделирования СЭМ-изображений по описанию СЭМ-конфигурации* (cdform_ui):
— расчет и последующий просмотр СЭМ-изображений, смоделированных по описанию в файле СЭМ-конфигурации*: главное окно с изображением, панель параметров геометрии и модели, интерактивные профили сечений, экспорт результатов, в т.ч. изображения (PNG) и профиля (CSV).
Утилиты командной строки
Приложение анализа СЭМ-изображений (cdform_analyze):
Функционал аналогичен cdform_analysis, но с использованием командной строки и возможностью пакетного режима работы.
Приложение моделирования СЭМ-изображения по описанию СЭМ-конфигурации* (cdform_sem_render):
Функционал аналогичен cdform_ui, но с использованием командной строки и возможностью пакетного режима работы.
Скриншоты и примеры работы

Рисунок 1 — Пример входных данных: СЭМ-изображение плотной структуры «линия/зазор».

Рисунок 2 — Выделение краёв: обнаруженные положения краёв структур.

Рисунок 3 — Построение профиля сигнала, определение ширины линии (CD) и шага (pitch).

Рисунок 4 — Расчёт шероховатости края (LER) и ширины линии (LWR).

Рисунок 5 — Пример отображения результатов анализа.

Рисунок 6 —
Интерфейс приложения анализа СЭМ-изображения приложения анализа СЭМ-изображения:
результат обработки структуры «линия/зазор», наложение контуров и полигонов,
таблица статистик по линиям в двух вариантах расчёта
(по отфильтрованному и по исходному изображению).

Рисунок 7 — Результат анализа массива круглых структур: замкнутые контуры и полигоны.

Рисунок 8 — Примеры целевых геометрий.

Рисунок 9 — Влияние уровня шума на изображение при одинаковой структуре.

Рисунок 10 — Устойчивость выделения краёв при разном уровне шума

Рисунок 11 — Примеры выделения краёв на различных структурах

Рисунок 12 — Интерфейс приложения моделирования
СЭМ-изображений по описанию СЭМ-конфигурации* с использованием физической модели:
главное окно, панель параметров, изображение и профиль сечения.